Número do Produto do Fabricante:
BTS282Z E3180A
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BTS282Z E3180A-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO220-7-180
Inventário:
12799437
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BTS282Z E3180A Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
TEMPFET®
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
49 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 240µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
Recurso FET
Temperature Sensing Diode
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-7-180
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BTS282Z-E3180A
BTS282ZE3180AT-DG
BTS282ZE3180ATINTR
SP000399014
2156-BTS282Z E3180A-ITTR
BTS282ZE3180ATINTR-DG
BTS282ZE3180AINCT
SP000012360
BTS282ZE3180A
BTS282ZE3180AINTR-NDR
BTS282ZE3180AINDKR-NDR
BTS282ZE3180ANT
BTS282ZE3180ATINCT
IFEINFBTS282Z E3180A
BTS282ZE3180AATMA1
BTS282ZE3180AT
BTS282ZE3180ATINCT-DG
BTS282ZE3180AINCT-NDR
BTS282ZE3180AINTR
BTS282ZE3180AINDKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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